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東工大極低温セ | 論文
- 28p-Q-6 In膜のボルテックス・グラス転移近傍における交流磁気応答
- 相互インダクタンス法による超伝導薄膜の交流帯磁率測定
- 3p-B-5 有機超伝導体 κ(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2のボルテックス
- 24pTH-3 渦糸固体の動的量子融解(超伝導/量子乱流,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 21aXQ-12 アモルファス超伝導膜の極低温渦糸状態(超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 18aRD-12 弱いピン止めをもつアモルファス膜の極低温渦糸液体状態(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 23aZA-13 アモルファスMo_xGe_膜の極低温渦糸状態(23aZA 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 18pYJ-1 縦型量子ドットの非弾性スピン緩和
- 27pTB-5 過渡電流スペクトルによる縦型量子ドットのスピン状態とエネルギー緩和
- 25pSA-2 量子ドットの長寿命励起準位の非平衡トンネル電流
- 半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
- 24aXB-11 超伝導渦糸系におけるディピニング転移(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 23pPSB-61 電流アンプを用いたメゾスコピックデバイスのための量子雑音測定技術(23pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 27aTE-10 表面吸着In原子を用いたInAs結晶点欠陥形成位置の低温STS測定(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pVE-13 光照射下における二次元電子系の伝導及び発光特性の研究(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- MBE成長したInAs(111)A表面における電子蓄積層の形成機構
- 2重量子ドットの電子スピン制御 (2006年のニュース総まとめ 特集:物理科学,この1年) -- (物性物理)
- 半導体量子ドットによる量子情報デバイス (特集 量子コンピュータ)
- In膜における磁場中での非線形抵抗II
- 27aYD-11 マイスナー相における異常なボルテックスダイナミクスII(超伝導)(領域6)
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