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東工大元素戦略セ | 論文

• 26pKA-4 μSRを用いたC12A7中の水素状態の電子ドープ依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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