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東大理、金材研 | 論文
- 3a-F6-9 REPUTE-1実験(II)(磁気プローブアレー測定)
- 3a-F6-8 REPUTE-1実験(I)(トリムコイルとエラー磁場)
- 3a-F6-7 REPUTE-1の現状
- 4a-S-6 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態II
- 28a-YJ-1 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態
- 29p-T-3 補償されたSi:PのNMR III
- 26a-P-2 補償されたSi:PのNMR II
- 28a-J-9 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下のNMR
- 28p-ZC-1 補償されたSi:Pのスピン格子緩和時間
- 30p-M-13 DCNQI-Cu塩の帯磁率の圧力効果
- 31a-L-2 Si:Pの金属絶縁体転移の臨界圧力
- 15p-D-2 Si:Pの金属・非金属転移近傍の磁化率
- 24p-ZA-9 (MeCl-DCNQI)_2CuのCuのNMR
- 24a-E-10 REPUTE-1におけるトムソン散乱による電子温度計測(II)
- 24a-E-9 REPUTE-1 RFPにおけるWall Conditioningとその効果
- 4p-R-1 REPUTE-1におけるシェルギャップカバーとリミター挿入実験
- 28p-ZF-2 (DMe-DCNQI)_2CuのNMR
- 単一微小トンネル接合におけるクーロンブロッケイドII
- 28p-M-4 単一微小トンネル接合におけるクーロンブロッケイド
- 3p-YE-7 超伝導微小トンネル接合列の電流電圧特性