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東北大院理 | 論文
- 26pZB-3 (Ba,Sr)_8Ga_Ge_の物性 : 磁性 電気伝導 熱電能(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aYF-7 表面有機修飾したSWNTsのFET特性(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-18 単結晶BaTiO_3高誘電体を用いた有機FETの物性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aRC-5 CsC_薄膜の電気伝導の温度依存性(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aTE-11 表面シリル化したカーボンナノチューブのFET特性(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aRC-3 物理パラメータからみたBa_IV_(IV=SiおよびGe)の物性(28aRC クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pRC-7 高純度H_2@C_の構造と物性(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pXA-9 Kを吸蔵させたゼオライトLTA薄膜の物性(クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXA-9 有機FET構造における金-チオール自己組織化単分子膜の物性へ与える影響(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYL-12 金端子の化学修飾が有機トランジスタの物性に与える影響(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 13pWH-7 C_FET に於ける界面修飾の及ぼす影響とその評価(FET, 領域 8)
- 13pWH-7 C_FET に於ける界面修飾の及ぼす影響とその評価(FET, 領域 7)
- 22pXG-5 フラーレン薄膜 FET における薄膜構造と物性
- 21pGR-1 クラスレート物質における低温物性の異常性 : キャリヤとフォノン(21pGR クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYE-6 グラフェンFETにおける金属電極からの電荷移動効果(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYD-9 有機単結晶貼り合わせ界面における伝導層(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pYE-5 グラフェン電界効果型トランジスタ特性の電極幅依存性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pYD-2 単結晶Ba_8Ga_Geにおけるガンマ比熱とキャリア濃度(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pYD-5 シリコンおよびゲルマニムクラスレート物質のフォノンと電子状態(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28aRH-2 正孔ドープ系超伝導体Pr_Sr_FeAsOの超伝導の圧力効果(鉄系超伝導体7(圧力効果・構造など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
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