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東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設 | 論文
- 表面赤外分光法を用いた抗原抗体反応の非標識検出 : 二次構造解析による特異・非特異信号の識別
- 変位電流評価法を用いた有機ヘテロ接合界面における電荷トラップの評価(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 有機FETの動作機構に及ぼす界面の影響(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 多重内部反射型赤外吸収分光法を用いた有機デバイスの評価(有機材料,一般)
- 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 陽極酸化により作製したアルミニウムナノドットからのクーロン階段の室温観測
- Alq_3遮光下真空蒸着膜に発生する光消去可能な巨大表面電位の特性評価(センサデバイス・MEMS・一般)
- C-3-10 移動回折格子によるヘテロダイン方式フーリエ変換赤外分光法
- ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
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