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東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科 | 論文
- 25aTB-5 SiC上に作成したC_6LiC_6の微細電子構造 : 超高分解能ARPES(25aTB 層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pGW-9 Fe(Te,Se)の高分解能ARPES : Se濃度依存性(27pGW 鉄砒素系(11系),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aHA-3 TlBi(Se_xS_)_2の表面ディラックコーン電子状態 : 高分解能ARPES(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTN-9 タリウム系トポロジカル絶縁体の表面ディラック電子状態 : 高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 23pTR-11 スピン分解ARPESによるBi_2Te_3の表面スピンz成分の直接観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTR-4 タリウム系トポロジカル絶縁体における量子相転移 : 高分解能ARPES(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pGB-13 Na_xCoO_2のフェルミ面における水和効果と超伝導 : 角度分解光電子分光(23pGB コバルト酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aHA-8 高分解能スピン分解ARPESによるBi薄膜における異方的Rashba分裂の観測(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTN-7 Cu_xBi_2Se_3超伝導体の高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 23pGM-2 Fe(Te,Se)超伝導体における準粒子ピーク : 高分解能ARPES(23pGM 鉄砒素系(11系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aTE-11 2層グラフェン/H-SiCのKドープ量依存性 : 高分解能ARPES(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-10 Caドープしたグラフェンの超高分解能ARPES(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTN-9 Kドープした2層グラフェン層間化合物の高分解能ARPES(21aTN 光電子分光(強相関系,表面・薄膜),領域5(光物性))
- 21pGL-9 高分解能ARPESによる鉄系超伝導体LiFeAsの電子状態(21pGL 鉄砒素系(111,1111系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- トポロジカル量子相転移近傍におけるディラック電子の質量獲得(最近の研究から)
- 角度分解光電子分光で見た鉄系超伝導体におけるディラック電子と擬ギャップ
- 26pAD-3 高分解能ARPESによるPb系トポロジカル絶縁体の電子状態(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
- 26pAD-2 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yのディラック電子状態の組成依存性(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
- 26pSB-7 水素終端化したSiC上のグラフェンの電子状態の積層数依存性 : 高分解能ARPES(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pAC-7 水素終端化したSiC上のグラフェンの高分解能ARPES(25pAC 光電子分光,領域5(光物性))
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