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東京理科大学基礎工学部研究科電子応用工学専攻 | 論文
C-10-3 InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
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