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東京工業大学精密工学研究所フォトニック集積システム研究センター | 論文
- C-4-8 中空導波路集積型DBRレーザのアサーマル動作の基礎検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 波長可変半導体レーザの発振波長制御技術の研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-4-3 中空光導波路を用いた広帯域・波長可変光デバイス(CS-4.広帯域・波長可変光デバイスの最新動向とその応用,シンポジウム)
- C-4-22 中空導波路集積型DBRレーザのアサーマル化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 中空導波路集積型波長可変レーザの単一波長選択性の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 中空導波路DBRレーザの単一波長選択性とアサーマル化の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 中空導波路DBRレーザの単一波長選択性とアサーマル化の検討 (光エレクトロニクス)
- 全IC化10Gbps光送受信器
- C-4-29 中空導波路集積型DBRレーザの連続波長可変動作の基礎検討(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- GaInAsP/InPマスク付き円形埋込み型面発光レ-ザの製作とその特性
- C-4-7 狭線幅中空導波路DBRレーザの基礎検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-80 単一材料HCGにおける反射特性(パッシブデバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-18 3次元閉じ込め中空導波路構造の提案(導波路デバイス(I),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 中空導波路DBRレーザの単一波長選択性とアサーマル化の検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 中空導波路DBRレーザの単一波長選択性とアサーマル化の検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-4-12 3次元閉じ込め中空導波路DBRレーザ(II)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 3次元閉じ込め中空導波路DBRレーザ(I)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-71 単一材料HCGにおける入射方向依存性の原理と応用の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 中空導波路DBRレーザの単一波長選択性とアサーマル化の検討(レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-30 混晶化法を用いた選択酸化構造の制御に関する研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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