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東京大学先端研 | 論文
- 超軽量構造への挑戦 : ユニットセル設計からの機能展開
- Al/Ni混合粉末の半溶融加工で作製した金属間化合物とその高温強度特性
- AI/Ni混合粉末の等速加熱にともなう金属間化合物の生成とその成形
- 環境適合型マニュファクチュアリングシステムへの転換とエコマテリアル
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Zコントラスト法による化合物半導体ヘテロ界面急峻性評価
- C-4-17 MOVPE 成長 AIN/GaN 多重量子井戸における 1.55μm のサブバンド間遷移
- フェーズアレイ型1×N半導体光スイッチの試作と理論検討(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 1×16フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1×16フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1×16フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチの研究開発(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- C-3-54 光パケットスイッチング用InP集積フェーズアレイ型1×N光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 高密度光IC用ファイバアレイOPLEAF
- C-3-61 高密度ピッチ変換光ファイバアレイ"OPLEAF"の開発(2)(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-30 光IC用高密度ピッチ変換光ファイバアレイ"OPLEAF"の開発(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- MEMS技術による光ファイバ内視鏡--マイクロミラーによる医療用内視鏡の小型化 (特集 光MEMSの現状と展望)
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