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東京エレクトロンAT,東京エレクトロン | 論文

• 塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択,ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
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