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旭化成株式会社基盤技術研究所 | 論文
- Ge濃度を制御したSi_Ge_xの格子定数測定
- 28aXM-8 収束電子回折法による局所歪み測定法の研究IV(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 22aXB-5 収束電子回折法による局所歪み測定法の研究 III
- DOSY NMR法の展開 : 包接現象を評価する
- フッ素系燃料電池電解質膜の水の状態とクラスター構造がイオン伝導性に与える影響
- 収束電子回折法による局所歪み測定法の研究
- 30pXD-10 収束電子回折法による局所歪み測定法の研究 II