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日電基礎研 | 論文
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- 30p-J-7 Si中の転位の電気的性質
- AlGaAs-GaAs超格子の浅い不純物準位とDXセンタ- (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の電子状態)
- 超ドープ構造
- 4p-PS-63 電子系の集団励起の計算の新手法
- 30a-PS-9 Co/Cu系人工格子の磁気抵抗及びホール効果
- 28p-APS-28 Tl_2Ba_2CuO_6における正方晶、斜方晶構造(II)
- 28p-APS-27 Tl_2Ba_2CuO_6単結晶の合成と評価(III)
- 30p-K-3 極薄Al膜の配向性と電気伝導
- 25a-PS-76 Tl_2Ba_2CuO_6単結晶の合成と評価(II)
- 25a-PS-75 Ti_2Ba_2Cuo_6における正方晶、斜方晶構造
- Tl_2Ba_2CuO_の中性子線回折
- 3a-H-7 Co/Al人工格子の構造と磁性 III
- 31p-PS-64 Tl系超伝導体のキャリア濃度と超伝導特性
- 30p-TD-8 T1系超伝導体の電気的磁気的特性
- 27p-J-2 Caドープ固体C_の電子状態
- 6p-C-1 FLAPW法に基づく半導体バンドギャップの計算 : GW近似
- 3p-ZB-2 FLAPW法に基づくBa_K_xBiO_3の電子構造の計算
- 3p-ZB-1 FLAPW法に基づくNd_Ce_xCuO_4の電子構造の計算
- 30a-T-10 カリウムマイクロクラスターの分裂過程