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日本電子株式会社 | 論文
- 4a-M-9 電界放出型電子銃を用いた収束電子回折
- 分析電子顕微鏡における試料汚染の改善
- 9a-Z-2 収束電子線回折装置作製とその応用
- 23aT-10 Si(111)7×7上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察(II) : 基板の積層欠陥の解消と二次元核の結晶化
- 24aY-3 Si(111)上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察
- 30p-S-8 Si(111)-(n×n)-DAS構造形成のアトムプロセス
- 28p-Q-13 急冷Si(111)表面の高分解能STM観察
- 28a-YM-11 STMによるSi(111)-(nxn)-DAS構造形成過程の観察 : DASサイズ変換モデルの確認
- 28a-YM-6 Ge(001)表面におけるSTM像のちらつきと特定原子上での電流の時間変化
- 31p-PSB-25 Ge(001)表面のダイマーのフリップ・フロップ運動のSTMによる観察
- 3a-Q-1 Si(001)2x1表面の低温でのSTM像
- 機器分析用試薬と標準物質 -NMR, ESR, 質量分析-
- 特定フロン破壊処理技術実証研究
- 28aXG-8 磁気共鳴を用いた新しい走査型プローブ顕微鏡
- イオン衝撃型電顕による機械仕上面変貭層の研究 : 粒子線・X線
- 電子ビームによる高密度記録
- 1)電子ビーム高密度記録(第4回 光・フィルム技術研究会)
- 電子ビーム露光(IC用ホトマスク製作への応用) : 荷電ビームと応用シンポジウム : 荷電ビームのICへの応用
- GC/TOF-MSの特長と環境中の微量化合物分析への応用
- 良いEI, CIスペクトルを得るために : 磁場型の装置を使用して