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日本電信電話 (株) 基礎研究所 | 論文

• 選択成長法により形成した六角柱ファセットレーザー
• 6. 半導体量子ドット構造の形成
• 3a-D1-3 極微細N-AlGaAs/GaAs 2DEG細線の磁気抵抗(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)
• 1a-D2-5 InGaAs/InP系二次元電子ガスの遠赤外磁気光吸収(1a D2 半導体(表面界面・超格子),半導体)

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