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日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 | 論文
- フォトニック結晶と光メモリ (特集 光メモリーとその周辺技術)
- シリコンフォトニック結晶共振器を用いた全光スイッチ及び 5GHz RZ(Return to Zero) 光パルス列変調
- シリコンフォトニック結晶共振器を用いた全光スイッチおよび 5GHz RZ (Return to Zero) 光パルス列変調
- シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 : 四光波混合光の発生(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 : 四光波混合光の発生(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 超高Qナノ共振器によるスローライト生成
- シリコンフォトニック結晶共振器による超小型光遅延線の実現 (特集 新世代通信を拓くシリコンフォトニクス技術)
- 光を1ナノ秒以上蓄積するフォトニック結晶共振器--光速の5万分の1の光遅延伝搬の観察 (特集 光速が遅くなったら--スローライト)
- 21aZB-7 共振器構造を有するスラブフォトニック結晶に働く輻射圧の特性解析(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21aZB-7 共振器構造を有するスラブフォトニック結晶に働く輻射圧の特性解析(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,光物性)
- 未来を拓く先端技術 フォトニック結晶による光の制御
- GaNの選択成長と微小ファセットレーザへの応用
- 11p-E-10 強磁場下におけるGaAs/AlAs超格子の光学吸収スペクトル
- 新しい低次元半導体ナノ構造の創出へ向けて (特集 材料基礎研究最前線)
- 19pTE-1 RuSr_2GdCu_2O_8におけるジョセフソンプラズマ
- 深紫外光源のための窒化物半導体の開発
- 選択成長マイクロファセットを用いたGaN系面発光型レーザー
- 選択成長マイクロファセットを用いたGaN系面発光型レーザー (「急速に広がるGaN系405nm半導体レーザー応用」特集号)
- 未来を拓く先端技術 世界最短波長210nmの遠紫外発光ダイオード
- C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
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