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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ | 論文
- 1×4 InGaAsP/InP多モード干渉導波路型光スイッチの動的スイッチング特性(フォトニックネットワーク・システム,光制御(波長変換・スイッチング・ルーチング),光ノード技術,WDM技術,マルチレイヤ・クロスレイヤ,次世代トランスポート(高速Ethernet,ASON/OTN),一般)
- 周波数変調DBRレーザを用いた40Gbps変調とSMF20km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 半導体二重リング共振器を用いた波長可変レーザとその展開(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- BCS-2-7 周波数変調レーザと光フィルタリングを用いた高速長距離伝送技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CS-6-7 InGaAsPフォトニック結晶ナノ共振器を用いた低消費エネルギー・超小型光ビットメモリ(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- 周波数変調DBRレーザを用いた40Gbps変調とSMF20km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- B-12-12 1×4 InGaAsP/InP多モード干渉導波路型スイッチの光増幅器の集積化による無損失化(B-12.フォトニックネットワーク,一般セッション)
- C-3-31 光RAMバッファアドレス用InGaAsP/InP多モード干渉型光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- EA変調器集積DFBレーザのデュアル変調動作による10Gbit/s, 180km伝送
- EA変調器集積DFBレーザのデュアル変調動作による10Gbit/s,180km伝送(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- EA変調器集積DFBレーザのデュアル変調動作による10Gbit/s,180km伝送(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- EA変調器集積DFBレーザのデュアル変調動作による10Gbit/s,180km伝送(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- C-4-3 半導体マッハ・ツェンダ光変調器を用いたアーム間バイアス電圧調整による光サブキャリア生成(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 埋込み活性層を有するフォトニック結晶レーザの高温動作特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-2 超低消費エネルギーで動作する電流注入フォトニック結晶レーザ(CI-1.光アクティブデバイスの新たな展開,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-4-10 波長サイズ埋込活性層フォトニック結晶レーザの低エネルギー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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