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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会 | 論文
- 半導体光集積回路の進展と将来展望
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用
- C-4-9 100GbE用次世代トランシーバ向け超小型TOSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-53 InP DP-QPSK変調器(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 半導体マッハ・ツェンダ光変調器を用いたアーム間バイアス電圧調整による光サブキャリア生成(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-33 100GbE向けモノリシック集積光源高出力化のためのInPトランスバーサル・フィルタの透過特性(パッシブデバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 リアグレーティングレーザを用いた、43Gbit/s EADFBレーザのアンクール(5〜85℃)動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 偏波多重を用いた小型100GbE用光送信モジュール(TOSA)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-33 InP系半導体MZ光変調器の劣化モード解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-30 フィードフォワード制御によるTDA-DFBレーザの高速波長切替(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-31 TDA-DFBレーザアレイを用いた8波長切換動作と熱補償動作による周波数変動抑制(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-32 InP IQ変調器による86Gbit/s偏波多重16QAM伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-29 デジタル制御熱ドリフト補償による波長可変レーザの波長安定化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-14 フリップチップ接続EADFBレーザアレイモジュールの28 Gbit/s×4ch動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-35 SOAを用いた4レーンー括増幅による100GbE用TOSAの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-3 狭間隔波長可変分布活性(TDA-)DFBレーザアレイによる高速(
- C-3-49 モノリシック集積光源用の小型MUXのための反射型InPトランスバーサルフィルタ(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 高速高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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