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日本電信電話公社茨城通研 | 論文
- 5a-L-9 BaPb_Bi_xO_3薄膜の超伝導転移付近における電気抵抗の振舞い
- RFスパッタ法によるBaPb1-xBixO3超伝導薄膜の作製
- 13p-C-11 可視-近赤外領域におけるBa_Bi_xO_3の光吸収測定
- 31p-B1-2 BaPb_Bi_xO_3の構造相転移(31p B1 低温)
- 31p-B1-12 BaPb_Bi_O_3薄膜電気特性の基板方位依存性(II)(31p B1 低温)
- 31p-B1-13 BaPb_Bi_xO_3中の酸素欠陥の定量(31p B1 低温)