RFスパッタ法によるBaPb<SUB>1-<I>x</I></SUB>Bi<SUB><I>x</I></SUB>O<SUB>3</SUB>超伝導薄膜の作製
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概要
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Superconducting BaPb<SUB>1-<I>x</I></SUB>Bi<SUB><I>x</I></SUB>O<SUB>3</SUB> thin films were successfully prepared by RF diode sputtering with a relatively high deposition rate of 50-120 Å/min and subsequent heat treatments above 500 °C. Their superconducting transition onsets are about 8K. Crystalline films were deposited even at low substrate temperature of about 100 °C, and they had a strong tendency to grow with the orientation (200) of the cubic perovskite structure.<BR>It was found that high oxygen partial pressure during discharge is a requisite factor for the preparation of BaPb<SUB>1-<I>x</I></SUB>Bi<SUB><I>x</I></SUB>O<SUB>3</SUB> thin films. When oxygen partial pressure is higher, the annealed films have the lower resistivities, the higher superconducting transition temperature and the sharper transitions.
- 日本真空協会の論文
著者
-
村上 敏明
Ntt光エレ研
-
鈴木 実
NTT光エレ研
-
村上 敏明
日本電信電話公社茨城通研
-
稲村 隆弘
日本電信電話公社茨城電気通信研究所
-
鈴木 実
日本電信電話公社 茨城電気通信研究所
-
村上 敏明
日本電信電話公社 茨城電気通信研究所
-
稲村 隆弘
日本電信電話公社 茨城電気通信研究所
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