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日亜化学 | 論文
- 27aYM-9 InGaN成長膜中の転位と発光分布(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 15aTJ-1 InGaN 成長膜中の転位の歪場と発光分布(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 17aTG-6 TEM-CLによるInGaN層の発光と格子欠陥
- 発光ダイオードによる次世代固体照明の実現
- 合同国際コンファレンス(第12回光源の科学と技術に関する国際シンポジウム(LS:12)-第3回白色LEDと固体照明国際コンファレンス (whiteLED3))に参加して
- 28pXM-5 TEM-CL法によるGaN成長膜中の転位の研究(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 高輝度3色LEDの実用化とその応用
- 最新の白色LEDの動向と応用(東京支部特集号)
- 白色および紫外LED
- GaN系LEDの現状と将来
- 発光ダイオード(LED)の効率向上技術の変遷
- 製品技術紹介 光度50%アップの白色LED--性能アップによって白色LEDが照らす世界はさらに拡大する
- OHMテクノガイダンス(41)省電力型LED信号機
- S-3. 最新の白色LEDの動向と応用
- 7aSK-10 IEM-CL法によるInGaN層の発光と格子欠陥III(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- 25aXR-9 TEM-CL法によるInGaN層の発光と格子欠陥II(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
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