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岡理大院 | 論文
- 20aTC-1 分子ビーム注入における飛程の横方向依存性(20aTC 放射線物理・原子分子放射線融合(イオンビーム固体・放射線損傷),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 18aYF-2 ポリスチレン中での高線量注入におけるアルカリ金属原子の表面偏斥II
- 20aRH-6 非経験的分子軌道法によるチタン中における水素誘起準位の計算I
- 25pWD-10 XPSスペクトルからみたチタン表面での水素原子の影響
- 28aRF-8 分子動力学法によるNV-Nセンターの形成(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aZF-1 ダイヤモンドにおけるイオン照射とNVセンターの相関(20aZF 放射線物理(照射効果,損傷過程),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pRB-11 3C-SiCの融点と複合欠陥形成・消滅のシミュレーション : Molecular Dynamics(放射線物理(固体内原子衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 23pRB-12 3C-SiCにおけるAntisite-Vacancy pairの形成(放射線物理(固体内原子衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 22pRE-3 3C-SiCにおけるDセンターの構造モデルと温度依存性(放射線物理(固体内衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 18aXK-8 ビーム照射によるanti-site defectの形成(II)(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26pWD-4 ビーム照射によるanti-site defectの形成(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- SiC欠陥形成における温度とエネルギーの影響 (人間生活を支える材料・エネルギー)
- 5118 ショットピーニングが接触面圧強度に与える影響 : 接触状態とマイクロピッチングの発生傾向(S63-3 強度(1),S63 伝動装置の基礎と応用)
- 2208 ショットピーニングが接触面圧強度に与える影響 : 第2報 マイクロピッチングの発生メカニズム(OS1-7 強度(2))
- 2719 ショットピーニングが接触面圧強度に与える影響 : 第2報 接触状態とマイクロピッチングの発生傾向(G11-3 歯車,G11 機素潤滑設計)
- 成形プラスチックはすば歯車の強度に関する研究 : 第6報:POM歯車の長寿命試験について(O.S.09-2 プラスチック歯車(2))
- 浸炭歯車のフレーキング損傷について(O.S.02-3 歯車の強度(3))
- 804 成形プラスチックはすば歯車の強度に関する研究 : 第 5 報 : POM 歯車の間欠運転について
- 113 はすば歯車の耐スカッフィング強度に関する研究 : 第 5 報歯面温度とスカッフィングの関係について
- 112 成形プラスチックはすば歯車の強度に関する研究 : 第 4 報歯車の耐久性について
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