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山梨大教育 | 論文
- 5a-BK-8 単結晶表面から放出するオージェ電子収率の入射角依存性
- 5a-BK-2 Ge単結晶上に蒸着したCu,Auの結晶成長
- 1a-BF-11 二次電子スペクトルの微細構造の表面状態による変化
- 表面波共鳴 (表面の結晶学) -- (反射電子回折)
- 10p-T-3 100KeVプロトンによる表面チャネリングの角度依存性
- 6p-T-4 イオンチャンネリングの二次電子放出への影響
- 6a-L-12 表面波共鳴条件における二次電子放出の変化
- 7p-P-10 プロトンによる二次電子放射の入射方位依存性(II)
- 5a-P-2 Si(111)面の表面波共鳴条件における表面構造の観察
- 12a-J-5 表面波共鳴の過度依存性
- 6a-KE-10 表面レゾナンス條件での鏡面反射強度の温度依存性(MEED)
- Image Intensifierの空気シャワーハドロンの研究への応用 III
- Image Intensifierの空気シャワーハドロンの研究への応用 II
- 17pTF-4 GaAs(001)低温成長におけるRHEED振動の異常
- 28aTA-5 低温成長GaAS(001)表面のRHEED/STM観察
- 24pPSA-14 LEED I-V法によるGaAs(001)-c(4×4)表面の構造解析
- 24pPSA-10 Mn吸着GaAs(001)面へのGaAs成長のSTM観察
- ランプがともる順序
- 電気信号の伝播速度の測定
- 26p-H-6 N_2レーザーを使った光の干渉実験