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富士電機デバイステクノロジー | 論文
- 携帯端末用PFM制御マイクロDC-DCコンバータの開発(スイッチング電源,家庭向け情報通信機器のエネルギー技術,一般)
- PDPスキャンドライバーIC用第4世代SOIデバイス
- リードフレーム構造を備えた薄ウェハIGBTの特性改善
- 1200V系トレンチゲート型フィールドストップIGBTの短絡特性の解析
- 次世代1200VトレンチFS-IGBTの開発
- 第6世代IGBTモジュール「Vシリーズ PIM」 (特集 半導体)
- 次世代 1200V FZ-Diode の開発
- 次世代1200V FZ-Diodeの開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- Micro-P 構造適用による600V IGBTの高性能化
- 垂直磁気記録媒体へのリングヘッド記録におけるヘッドスキュー角の影響
- 自己分離CDMOS技術による自動車ECU用サージ保護IC
- 非晶質Tb-Co/Co-Cr-Pt-B複合垂直媒体の記録特性と熱緩和特性 : 垂直磁気記録媒体
- 非晶質/Co-Cr複合垂直媒体の磁気記録特性
- 垂直媒体記録特性の記録電流とヘッドスキュー角の影響
- Tb-Fe-Co/Co-Cr-Pt-B複合垂直媒体の記録特性と熱揺らぎ
- CoPtCr-SiO_2グラニュラー垂直媒体の高密度記録磁化パターン
- CoPtCr-SiO_2グラニュラー垂直媒体における高密度記録磁化パターンの観察
- 垂直媒体の磁気クラスターサイズと記録特性
- 非晶質/Co-Cr複合垂直媒体の記録パターンのシミュレーション
- 携帯端末用PFM制御マイクロDC-DCコンバータの開発