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富士通厚木研 | 論文
- 1a-KH-8 Al_xGa_As/GaAsヘテロ接合FET、2次元電子系のサイクロトロン共鳴IV
- マルチエミッタ型RHETを用いた論理集積回路
- 2p-D-10 Si-Ge超格子の光学遷移強度
- 30a-Z-1 Si-Ge超格子の電子構造計算 : 界面での混晶化の効果
- 29a-O-10 MBEの分子動力学によるシミュレーション
- 28a-F-12 Si-Ge超薄膜超格子のバンドギャップ
- 4a-M-7 Al_xGa_As/GaAs系超格子のREMによる観察
- 22a-H-9 強磁性半導体CdCr_2Se_4の電気伝導
- 26p-P-12 ポテンシャル障壁による分布反転生成と非線形伝導
- 強磁場下2次元電子系のエッジ状態間の散乱(I)
- 強磁場下2次元電子系のエッヂ状態間の散乱(II)
- 31a-Z-3 エッチ非平衡分布のフォノン自然放出による緩和
- 4a-C-13 エッジ非平衡分布の温度依存性
- 4a-C-12 エッヂ非平衡分布存在下での実験結果の解析
- 4a-C-4 2次元電子系の電荷密度不均一による線形磁気抵抗
- 29p-BPS-32 純水中で形成されるSi(111):SiH表面
- 28p-ZH-2 GaAs/AlGaAs量子井戸中のピコ秒励起子スピン緩和
- 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
- 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
- 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III