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学習院大・理 | 論文
- 5a-NL-4 Si-MOS(100)反転層2次元電子移動度の温度依存
- 5a-NL-2 Si-MOS二次元伝導の強電界効果と負磁気抵抗
- 30a-J-2 H^+, H^+_2, H^+_3の固体表面との衝突による発光
- 30p-K-7 mk領域におけるSi-MOS反転層の電気伝導
- 30p-K-6 セシウム吸着Si表面反転層のアンダーソン局在
- 30p-K-3 シリコン(100)表面2次元電子移動度の温度依存
- 3p-B-11 Si-MOS反転層の負磁気抵抗効果とアンダーソン局在II
- 4p-B-1 Si MOS 反転層の格子散乱移動度
- 量子ホール効果のブレークダウンの試料形状依存性
- 量子ホール効果のブレークダウンの試料形状依存性
- 31a-PS-42 バイナリ・サーチ・モンテカルロ法 : 量子スピン系
- 成長中の有限結晶のまわりの拡散場 : 基礎的考察
- Pyrolite とMg_2SiO_4のポストスピネル転移
- 量子化ホール抵抗とブレークダウン
- 29p-Y-4 量子化ホール抵抗とブレークダウン
- 29a-M-11 量子化ホール抵抗の高精度測定II
- 29a-M-11 量子化ホール抵抗の高精度測定 II
- 4a-J-14 量子化ホール抵抗の高精度測定
- 30p-N-11 量子化ホール抵抗の高精度測定 II
- 13p-K-4 表面・界面における非線形光学効果