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大阪電通大工 | 論文
- 表面ラフニング転移温度の新しい評価法 : ステップゆらぎ解析 : 成長界面II
- 界面律速定常成長する微斜面の単一ステップゆらぎ幅: べき乗則 : 成長界面II
- 28a-YW-5 成長する微斜面におけるノンユニバーサルな単一ステップゆらぎ
- ステップ系の統計力学と結晶形のダイナミクス (原子レベルでの結晶成長機構) -- (結晶成長理論)
- 4p-E-2 成長する微斜面における単一ステップゆらぎ幅
- 2p-D-6 制限SOSモデルにおけるステップのゆらぎ
- 3a-Q-10 微斜面のHarmonic Fluid描像
- 3a-YH-6 Harmonic Fluid 描像に基づく微斜面のダイナミックス
- 微斜面の Harmonic Fluid 描像 : 基礎(理論)II
- 微斜面における単一ステップのゆらぎIII : 基礎(理論)II
- 28p-A-2 ステップ多体系における単一ステップゆらぎ幅II : 解析的計算
- 28p-A-1 ステップ多体系における単一ステップゆらぎ幅I : ステップ密度依存性のモンテカルロ計算
- 15a-G-11 一次元Tracer DiffusionとCapillary Wave描像
- 15a-G-9 成長する微斜面におけるステップのゆらぎ
- 13p-PSB-55 BCSOS模型の一般面方位におけるガウス曲率
- 13a-PS-53 Vicinal Surfaceにおける単一ステップの対数的ゆらぎ
- 13a-Y-7 Siの結晶平衡形
- 28aB7 微斜面における単一ステップのゆらぎII. : モンテカルロシミュレーション(基礎V)
- 28aB6 微斜面における単一ステップのゆらぎI : Free Fermionモデル及びCapillary Waveモデルによるアプローチ(基礎IV)
- 28aB5 大きなユニットセルをもつ2成分定比化合物結晶におけるステップ張力の不定性 : 六方晶ZnS(101^^-0)面(基礎IV)