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大阪府大院工 | 論文
- 12pTJ-8 MgB_2 中性子検出器 III(X 線・粒子線 : X 線・中性子線, 領域 10)
- 21pXB-7 MgB_2 中性子検出器 II
- 21aXA-11 BiFeO_3-BaTiO_3における強誘電分域構造のTEM観察(誘電体(マルチフェロイック関連),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYQ-11 TIGaS_2の構造相転移 (1) : 電気的性質
- 26pWQ-4 YBa_2Cu_3O_7薄膜を用いたd-dotの作製(26pWQ 磁束量子系II(ナノ構造・電子状態),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pWF-14 PLD法によるYBa_2Cu_3O_7薄膜を用いたdドット素子の作製とその評価(磁束量子系II(銅酸化物),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 24aWE-2 Pr_Ca_xMnO_3の高周波電磁応答VIII(Mn系1,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 12pRC-14 Pr_Ca_xMnO_3 の高周波電磁応答 VII(Mn 系_2 : スピン-電荷-軌道結合, 領域 8)
- 28pXB-16 Pr_Ca_MnO_の高周波電磁応答VI(Mn系 スピン電荷軌道結合)(領域8)
- 20pTN-8 Pr_Ca_MnO_ の高周波電磁応答 V
- 28aZN-8 MgB_2 薄膜の表面インピーダンス
- 18pPSB-34 Pr_Ca_MnO_の高周波電磁応答. II
- 25pYJ-9 放射光によるXPS,XANES測定を用いたAg-Si,Pd-Si系の照射誘起偏析の研究(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 13pTG-4 放射光による XANES, XPS を用いた Pd-Si 系の照射誘起偏析の研究(放射線物理 : イオンビーム・放射線検出器, 領域 1)
- 24aA-7 酸素欠損したEuBa_2Cu_3O_yにおける高エネルギーX線照射効果
- 29a-YD-8 イオン照射した高温超伝導体の欠陥生成における速度効果
- P1-23 PASを用いたCuInS_2の励起子共鳴励起における再結合過程の解析(ポスターセッション1,ポスター発表)
- ln溶媒およびBN保護管を用いたCuAlSe_2およびCuAlS_2のTHM成長
- 28aXT-2 CZ-Si中潜在欠陥に対する添加ホウ素元素の効果に関する陽電子消滅測定(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 19pYR-13 高速重イオン照射によるFe-Ni合金の磁性改質(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
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