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大阪市大工 | 論文
- 5a-F-13 GaAs/AlAs超格子のシュタルク階段遷移振動子強度の電場依存性
- 5a-F-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II : 遷移強度IV
- 28p-K-12 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果
- 28p-K-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ : II遷移強度III
- 13a-DE-3 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度(II)
- 13a-DE-2 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスVII
- 1a-N-14 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度
- 1a-N-4 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスVI
- 28a-ZH-4 光変調反射分光法による(GaAs)_x/(InA)_1歪超格子の非束縛電子・正孔状態の検出
- 26a-ZH-7 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス V
- 半導体超格子のワニエ・シュタルク局在状態とその共鳴
- 28p-F-5 ミニバンド分散を有するGaAs/AlAs超格子のフォトリフレクタンス特性
- 28p-W-8 GaAs/AlAs短周期超格子のおけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス IV
- 30p-A-10 GaAs/InAs歪超格子の発光特性
- 28p-C-8 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスIII
- 25p-X-22 GaAs/In_xAl_As歪み超格子のフォトリフレクタンス
- 25a-M-4 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスII
- 2a-D-17 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II発光のフォノンサイドバンド
- 20pYD-3 Si 再構成表面における光誘起表面構造変化機構
- 30p-S-11 HeプラズマとH_2ガスの接触で生じるHeIの異常電子分布