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大阪工業技術試験所 | 論文
- 第一原理擬ポテンシャル法によるセラミックス界面の研究
- 31p-YK-7 SiCの結晶粒界の第一原理計算IV : 第一原理引っ張り試験
- セラミックス/金属界面の原子・電子構造のシミュレーション
- 7p-YH-4 SiC/Al界面の原子配列と電子構造の第一原理計算
- 7a-S-8 SiCの結晶粒界の第一原理計算III : 界面の強度計算
- 28p-E-15 SiCの結晶粒界の第一原理計算 II
- SiCの結晶粒界の第一原理計算
- 界面の電子構造計算-半導体の結晶粒界と金属/セラミックス界面-
- 1a-M-10 セラミックス界面の第一原理計算 : SiC粒界とSiC/Al界面
- 3a-A3-24 SiC中の結晶粒界の原子構造と電子構造
- 3a-A3-10 セルフコンシステント強結合近似電子輪における原子間力
- 3a-A3-9 半導体Si中の結晶粒界の活性準位の起源
- 3a-A3-8 半導体Si中の(21i)双晶の原子構造と電子構造
- セラミックスの電接法
- Si_3N_4-Y_2O_3-La_2O_3-Mgo系接着剤による炭化ケイ素の接着
- 窒化ケイ素セラミックスのメタライズ法
- セラミックスの接着法 (エンジニアリングセラミックス) -- (製造)
- 硫化銅を用いたセラミックス相互間の接着
- フッ素化合物を用いたサイアロンの接着法
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