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大阪大院理 | 論文
- 24aZC-6 ハーフメタリック希薄反強磁性半導体(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27aYF-11 フルポテンシャルKKRグリーン関数法による電場勾配研究II(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27aYF-10 希薄磁性半導体の輸送係数の第一原理計算(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 第一原理計算における最適化有効ポテンシャル法の開発と応用 (
- 21aTH-10 S.KKR 法を用いての多層膜人工格子の電子状態計算の研究
- 21aTH-9 磁性半導体の LDA を越える取り扱い
- 22pWA-9 TMR の第一原理計算
- 31pYH-6 希薄磁性半導体の磁気光学効果に関する研究
- 29pXH-2 FeCo 系の TMR
- 17pYH-3 カルコパイライト型磁性半導体の磁気構造に関する研究
- 18aYB-3 KKR-OEP法によるLa_M_xMnO_3(M=Sr, Ca)の電子状態と磁性研究
- 28aTB-9 III-V/II-VI超構造およびカルコパイライト希薄磁性半導体の磁性の研究
- 30aYB-2 CaLaB_6の電子状態と磁性
- 24pYB-1 第一原理計算によるLa_Sr_xMnO_3の電子状態と磁性
- 23aK-6 AlAs/(Cd,Mn)Teのキャリア制御と磁性
- 24aS-3 II-VI族/III-V族希薄磁性半導体超構造の磁性
- 24aC-1 (Ga, Mn)Asの電子状態と磁性
- 金森順次郎先生, 本多記念賞および藤原賞受賞
- 29a-ZA-2 HCP金属中の不純物位置の電場勾配
- 28a-W-13 第一原理による金属、非金属結晶内場の計算
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