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大阪大学大学院工学部研究科 | 論文
高品質気相合成ダイヤモンド薄膜を用いた高電界印加型p-i-p素子の電気的特性
集束イオンビームを用いて加工した高電界印加型ダイヤモンド素子構造における残留ガリウムの電界誘起効果
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