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大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻 | 論文
- 配電損失を考慮した将来型配電系統の自律分散型電圧分布制御方式
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- DGの種類を考慮した電圧分布最適化制御と補償金制度の検討
- 減衰率の反転による電力系統の第N波安定領域導出手法の検討
- ボレート系結晶を用いた波長179nm真空紫外レーザー光の発生
- フェムト秒レーザー誘起キャビテーションバブルによるタンパク質の結晶核発生(光で成長する結晶)
- 22pGQ-12 イオン照射によるダイヤモンド結晶中の窒素空孔センターの生成(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- SA-7-4 リード時間を考慮した在庫管理戦略に対する市場指向プログラミングを用いたサプライチェインモデル(SA-7. 企業・社会活動におけるコンカレント技術)
- 住宅用負荷曲線推計のためのボトムアップシミュレーションモデルの評価
- Naフラックス法によるGaN結晶育成技術 (特集 新照明における素子・材料・応用技術)
- 非線形光学結晶CLBOの不純物制御と紫外光発生応用
- 学会賞内容紹介 家庭におけるエネルギー消費実態の計量と分析
- 家庭におけるエネルギー消費実態の計量と分析
- PS-099-4 当院における十二指腸乳頭部癌の治療成績から考える適正な切除範囲(PS-099 胆 悪性-3,ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- 携帯端末を用いた不正行為検出のための屋内位置推定方式(一般,移動通信ワークショップ)
- PS-189-2 人工肛門造設・閉鎖症例の検討(PS ポスターセッション,第113回日本外科学会定期学術集会)
- PS-115-1 膵癌細胞の転移・浸潤能に対するグリア細胞由来神経栄養因子の役割(PS ポスターセッション,第113回日本外科学会定期学術集会)
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