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大工大応用物理:大工大ナノ材研 | 論文
- 28pPSB-14 AlGaAsSb/InAs量子井戸2次元電子のスピン-軌道相互作用の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSB-13 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子の弱反局在の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-71 AlGaAsSb/InAs量子井戸の磁気輸送現象(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-70 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子系の電子間相互作用による磁気抵抗(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
- 27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
- 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
- 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- 31a-Q-1 金属-非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- n-Si : Sbにおける金属-非金属転移の研究(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-A-2 高濃度n-Si : Sbの輸送特性.II
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 31p-S-5 高濃度n-Si:Sbの輸送特性
- 26aPS-88 スズドープ酸化インジウム(ITO)ナノ粒子薄膜の電気伝導特性と磁気抵抗効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aCE-5 鉄とスズを共添加した酸化インジウム(Fe-ITO)ナノ粒子薄膜の電気伝導特性(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pDK-1 グラフェンのトンネル電界効果トランジスタの電気特性とHall効果(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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