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名古屋大学理学研究科 | 論文
- 27pZR-4 200keV偏極電子ビームのエミノタンス測定(粒子源)(新領域)
- 27pZR-2 スピン偏極電子源のフォトカソード長寿命化(粒子源)(新領域)
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 兵庫県南部地震(1995年1月17日)におけるGPS観測
- X線光電子放出理論の新しい側面
- 22pTD-5 透明電極材料ZnO及びAlドープZnOの局所構造歪みと電子状態(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20pZA-11 多体散乱理論による光電子収量計算(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
- 24aYH-6 量子力学的散乱理論に基づく深さ分布関数の理論的研究(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pYS-5 高エネルギーX線励起光電子放出角度分布の理論的研究(X線・粒子線(X線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 24pYS-4 量子電気力学による内殻分光理論(X線・粒子線(X線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 31aXD-2 MARPE における輻射遮蔽の重要性
- XPDにおける非局所光学ポテンシャルの理論的研究
- 30aCX-4 非局所光学ポテンシャルを用いたEXAFSとXPDの計算
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 脂質膜小胞の形とトポロジー変換の仕組(ソフトマターの物理学2003-普遍性と多様性-,研究会報告)
- 3P280 Bacteriochlorophyll cのメソポーラスシリカ細孔中での組織化(光生物 B) 光合成))
- 光合成でのアンテナ系タンパク質/色素複合体(LH2)の基板上への組織化
- 銀河系中心部における磁気浮上ループ
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