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千葉大院融合 | 論文
- 24aRJ-7 スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド(反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域9,領域3合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-102 In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC_超薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXJ-5 Si(111)表面上に形成したGdシリサイド超薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-13 Si(111)表面上に形成したDyシリサイド薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-12 ペンタセン超薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pWB-2 Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-46 光電子回折による温度に依存した Ag/Si(111)-(√×√) の表面構造の研究(領域 9)
- 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-10 時間分解光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 28pPSB-16 Si(111) 表面上に成長した Ag の表面プラズモン
- 28p-PSB-17 電子衝撃イオン脱離による O_2/Si(111)の研究II
- 20pXA-4 Si(111)-(7×7)表面上の物理吸着酸素分子の吸着・反応過程(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-7 Eu吸着により誘起されたSi(111)表面上の一次元鎖構造の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWP-1 Si(111)表面上のCa一次元鎖構造の電子状態(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 20aPS-12 InSb (001) 表面上に成長した α-Sn 薄膜の電子状態
- 29aZF-6 室温における Si(111)-(7×7) 表面の初期酸化過程 : 準安定吸着酸素の研究
- 29pPSA-6 HREELSによるK/Si(111)-(3×1)表面の振動状態の研究
- 28aXE-9 シクロヘキサシランとシリコン表面の相互作用
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