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千葉大院・自然科 | 論文
- 17pRE-17 ホットウォール法による原子空孔配列化合物半導体In_2Se_3薄膜の作製とその光物性
- 28aZE-8 ナノ配列原子空孔半導体 In_2Se_3 の作製とその光物性
- 30pPSA-61 CdMgTe/CdTe/CdMnTe 非対称量子井戸の励起子及び励起子分子のスピン機構 III
- 18pYG-2 非対称希薄磁性量子井戸Cd_Mg_x/Te/CdTe/Cd_Mn_yTeの発光励起スペクトルと励起子分子
- 29pTC-5 強磁場下でのCd_Co_xTe結晶の励起子反射スペクトル
- 7pPSB-1 CdMgTe/CdTe/CdMnTe非対称量子井戸の励起子及び励起子分子のスピン機構II(領域4)
- 27pXP-3 CdMgTe/CdTe/CdMnTe非対称量子井戸の励起子及び励起子分子のスピン機構(27pXP 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24pSA-7 空孔半導体In_2Se_3の作製とその光物性(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))