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千葉大学融合 | 論文
- 25pTB-2 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTD-10 フラーレンナノウィスカーの電子物性と結晶成長条件(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTD-9 光渦照射によるC_薄膜の光重合化(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-3 半導体量子細線における磁場依存性と解析II(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTG-9 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTL-6 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性II(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTG-5 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aCC-7 光渦照射によるC_光重体の作製と物性評価(27aCC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pCE-6 量半導体量子細線における磁場依存性と解析III(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aSB-9 グラフェンFETにおける伝導度ゆらぎの研究(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aEC-6 光渦照射によるC_薄膜の光重合化II(21aEC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pXP-7 光渦照射で作製したC_光重合体の電気伝導特性(26pXP フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pXP-1 単層および2層グラフェンにおける普遍的伝導度ゆらぎの探求(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pDK-9 グラフェンにおける普遍的伝導度ゆらぎの研究(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pDK-10 グラフェンを用いた高周波検出デバイスの可能性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pDF-6 渦照射によるフラーレン光重合体のin-situ物性評価(フラーレン,領域7(分子性個体・有機導体))
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