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千葉大学理学研究科 | 論文
- 金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 書評 新井朝雄:ヒルベルト空間と量子力学
- 21aFB-5 3サイト分子架橋系におけるループ電流に関する解析(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aPS-143 小型キュービックアンビル装置による10GPa級NMR/NQRの現状IV(29aPS 領域8ポスターセッション(低温2:銅酸化物・鉄系超伝導他),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- Explicit modular map for abelian surfaces via $K$3 surfaces (Automorphic Representations and Related Topics)
- Cluster Algebra and Complex Volume (Intelligence of Low-dimensional Topology)
- Boundary value representations for bounded hyperfunctions and some variants (Recent development of microlocal analysis and asymptotic analysis)
- K3 modular函数について
- Fe_3Si/Geの界面構造によるSBHとスピン電流の変調 : 第一原理計算による理論的検討(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係 : 第一原理計算による理論的検討
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