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北陸先端大 | 論文
- 22pWA-4 LaAlO_3/SrTiO_3積層薄膜におけるpolar discontinuityのスクリーニング機構の第一原理計算による解析(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pYA-4 LaFeAsO母物質とフッ素ドープ,酸素欠損の第一原理電子状態計算(21pYA 領域8シンポジウム:鉄化合物新超伝導体の物理,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pTD-8 第一原理計算によるLaAlO_3/SrTiO_3積層構造の電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pRB-4 Au(tmdt)2の電子構造と反強磁性状態(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pXL-9 遷移金属ステップ表面上におけるNO解離反応の第一原理的研究(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pXK-5 V_n(C_6H_6)_クラスターの磁気特性に関する理論的研究(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYS-2 In_Ga_As/In_Al_As2次元電子ガスにおけるスピン分裂の磁場依存性
- 27aYS-1 NiFe-In_ Ga_ As/In_ Al_ As界面におけるスピン注入
- 23pSA-1 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系のスピン分裂におけるヘテロ界面依存性
- 23pL-11 In_Ga_As/In_Al_Asヘテロ接合2次元電子ガスの有効g値
- 23pL-10 In(0.75)Ga(0.25)As/In(0.75)Al(0.25)As順方向2次元電子ガスにおけるスピン軌道結合定数のゲート電圧依存性
- 27pD-3 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス系のスピン分裂の異方性
- 27pD-2 共鳴トンネル構造によるIn_xGa_As(x≥0.5)におけるスピン分離の観測
- 30p-ZE-14 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系のスピン分裂
- 29p-ZE-2 強磁性体電極InGaAs/InAlAs FETの基本特性
- 21pXA-3 溶液プロセスによるフラーレン系電界効果デバイスの作製とFET特性(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pXA-2 フラーレンを用いた機能性電界効果トランジスターの作製とキャラクタリゼーション(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pPSB-14 カーボンアロイ触媒の活性点の構造とその安定性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aYE-5 グラフェンナノリボンにおけるスピンフィルター効果の第一原理計算(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
- 27pQF-6 電気伝導計算のための非平衡グリーン関数法の効率的な実装方法(電子系(密度汎関数法,その他),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
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