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北大電子研 | 論文
- 6p-C-8 DCNQI錯体LB膜の作成
- 28a-YS-3 BO錯体LB膜の分子配向
- 3p-S-14 BO錯体LB膜のESRII
- 28a-YK-7 C_ LB膜のESR
- 12p-B-14 BO錯体LB膜のESR
- 30a-C-7 APT(8-12)のLB膜のESRの光照射による変化
- 28a-K-2 長鎖ピリジウム(TCNQ)_2錯体LB膜の磁性と構造II
- 28a-M-11 長鎖ピリジニウム(TCNQ)_2錯体LB膜の磁性と構造
- 29p-ZF-13 電荷移動錯体LB膜のESR(XV) : (TMTTF)_3(C_TCNQ)_2膜の分子配向
- 25a-Z-5 電荷移動錯体LB膜のESR(XIV) : 長鎖Py(TCNQ)_2膜の分子配向
- 5a-K-13 電荷移動錯体LB膜のESR(XIII)
- 27a-R-2 h-GaNのブリルアン散乱 II
- 31a-F-6 h-GaNのブリルアン散乱
- 21aXA-1 Bi_La_xTi_3O_の相図II(誘電体(ペロブスカイト),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aZF-11 軌道角運動量重ね合わせ状態検出における余分な方位角成分II(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 22aZA-6 軌道角運動量重ね合わせ状態検出における余分な方位角成分(22aZA 量子エレクトロニクス(量子光学),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pRH-15 軌道角運動量重ね合わせ状態検出における余分な方位角成分の影響(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26aRB-13 光子の軌道角運動量重ね合わせ状態の検出(26aRB 量子エレクトロニクス(量子光学),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26aRB-12 経路干渉計を用いたLGモード量子もつれ合いの検証実験(26aRB 量子エレクトロニクス(量子光学),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15aTG-12 光子の軌道角運動量もつれ合い実験における測定基底の検証(量子エレクトロニクス, 領域 1)
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