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佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター | 論文
- 開管法によるZnTeのホモエピタキシャル成長 : 成長特性 : II-VI化合物半導体
- 開管法によるZnTeの気相成長 : 成長条件と成長速度の関係 : II-VI化合物半導体
- 26pPSB-21 SiC上エピタキシャルグラフェンの2光子光電子分光(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-13 角度分解光電子分光によるMnPc/Cu(100)の電子状態研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXK-4 Si(111)上Agナノ薄膜の非占有量子化電子状態(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-23 時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3の励起電子ダイナミクスII(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aDK-4 SiC上グラフェンの時間分解光電子分光(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
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