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京大・工 | 論文
- 25a-L-7 MeV Heイオンのエネルギー損失に対する表面電子の動的応答の寄与
- GaSb上のAlGaSbおよびAlGaAsSbのLPE成長 : エピタキシー(LPE)
- 2p-RG-8 高分子膜の気体透過におけるレーザー照射効果の温度依存性
- 12a-L-14 高分子膜の気体透過におけるレーザー照射の影響
- 27a-G-7 レーザーによるBCl_3層気体透過の制御
- 2a-Q-7 マトリクス試料の状態によるレーザー照射効果
- 2p-G-4 WT-2トカマクのICH(I)
- 5p-NW-4 傾斜フォイル励起Nイオンの偏光測定
- 2a-S-7 希ガス原子・イオンのBranching ratioの測定
- 2p-G-8 50MeV^3He^薄膜透過におけるコンボイ電子の生成機構
- 金属と半導体の接触界面--GaAs化合物半導体のオ-ミック・コンタクト材料 (境界領域を探る)
- 3a GL-1 単一モードレーザーによるHanle効果における非等方衝突の効果
- 4p-DS-5 単一モード色素レーザによるNe励起状態のHanle効果
- 31p-CF-8 単一モード色素レーザーによる Ne の Hanle 効果
- 12a-T-4 Hanle効果,二重共鳴における非等方的衝突の効果
- 還元剤の存在下での塩酸および硫酸によるコバルトリッチクラストの浸出
- 半導体ダイヤモンド/金属界面の電気伝導機構
- 化合物半導体用コンタクト材料のメゾスコピック化
- 多芯Bi2223テープ材における臨界電流の可逆的ひずみ効果
- Bi2223単芯および多芯テープ材の機械的性質と臨界電流の引張ひずみ依存性