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九州大学大学院総合理工学府・研究院 | 論文

• ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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