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九大院理:JST-CREST | 論文
- P12 テトラメチルベンジジン : スメクタイト層間化合物の吸着特性
- 燃料電池への元素戦略的アプローチ--配位高分子による非白金電極触媒
- 27pYK-2 プロトン伝導性を示すジチオオキサミダト銅錯体におけるガス吸着(金属鎖(MMX, MXなど),領域7(分子性固体・有機導体))
- 30pZA-13 ルベアン酸銅配位高分子における重水素効果
- 20aYG-3 ハロゲン架橋混合原子価複核錯体Ni_2(dta)_4Iの電子状態
- 20aYG-4 MMX錯体の誘電率測定
- 21aPS-56 ハロゲン架橋一次元錯体 [NiCl(chxn)_2]Cl_2 のスピン状態
- 30pYG-4 単分散 Pt 族ナノ粒子の水素吸着
- 分子フレームワークを有する結晶性ナノ薄膜の作製と表面界面構造の解析
- 30pZA-6 MMX-Chain 錯体 Pt_2(CH_3CS_2)_4l の高圧下電気伝導度
- 29aZH-10 PLD 法による超イオン導電性人工超格子 BaZr_Y_O_3-SrZr_Y_O_3 の作成と物性
- 20aYG-2 ルベアン酸系銅配位高分子における物性・構造の水素ドーピング依存性
- 20aYG-1 ルベアン酸系銅錯体のプロトン伝導性
- 28pXD-6 NMR法を用いた擬一次元ハロゲン架橋錯体 [Ni_Pd_xBr(chxn)_2]Br_2のスピン構造の研究
- 26pPSB-24 二次元シュウ酸亜鉛錯体水和物の中性子準弾性散乱(26pPSB 領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 30pZA-5 MMX-Chain 錯体 Pt_2(C_2H_5CS_2)_4l における高圧下電気伝導度
- 分子フレームワークを有する結晶性ナノ薄膜の作製と表面界面構造の解析
- 29p-YD-5 (CH_3NH_3)_2AlCl_5 6H_2Oの熱容量と強誘電相転移
- 26pCL-9 中性子散乱法で観た二次元シュウ酸架橋配位高分子のプロトンダイナミクス(26pCL 格子欠陥・ナノ構造・フォノン(金属・ナノ粒子・点欠陥・水素材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26aXS-7 中性子散乱法で観た二次元シュウ酸架橋配位高分子のプロトンダイナミクスII(26aXS 格子欠陥・ナノ構造(水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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