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上智大理工:CREST-JST | 論文
- 23aPS-89 一次元競合系Rb_2Cu_2Mo_3O_の高圧下磁化測定および磁気比熱(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pPSA-46 GaNナノコラム結晶のプラズモンによるラマン散乱(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aWH-2 GaN/AIN多重量子ディスクナノコラムのラマン散乱(26aWH 非線形光学・励起子・ポラリトン・緩和励起子・格子振動,領域5(光物性))
- 27aWA-3 GaNナノコラムおよびGaN/AlN超格子ナノコラムのラマン散乱(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 21aYD-10 GaN/AIN超格子ナノコラム結晶のラマン散乱(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- 21aYD-9 GaNナノコラム結晶のラマン散乱(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製
- Enhancement of Magnetic Frustration Caused by Zn Doping in Quasi-One-Dimensional Quantum Antiferromagnet Cu_3Mo_2O_9(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 28aTG-2 低次元磁性体Cu_3Mo_2O_9の強磁場ESR測定(28aTG 量子スピン系(一次元系及びその他),領域3(磁性,磁気共鳴))
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 25pPSB-45 GaNナノウォールと規則配列GaNナノコラムにおける表面フォノンのラマン散乱(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 23aYJ-7 GaNナノコラム結晶のプラズモンによるラマン散乱II(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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