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上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構 | 論文
- 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 青色・紫外域半導体レ-ザ-の研究動向と展望
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- 25pPSB-45 GaNナノウォールと規則配列GaNナノコラムにおける表面フォノンのラマン散乱(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体ナノコラムの光学特性 (特集 ナノ材料の光科学最前線)
- C-4-5 InGaN/GaN MQWナノコラムを用いた緑色発光デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25pPSA-28 GaNナノ構造における表面フォノンのラマン散乱(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aPS-89 1本のGaNナノコラムの電気伝導(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-29 1本のGaNナノコラムの顕微ラマン散乱(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pPSA-60 GaNナノ構造における表面フォノンのラマン散乱II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
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