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三菱電機株式会社 高周波・光デバイス製作所 | 論文
電子デバイスの導電性樹脂による実装プロセスの検討
短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
C-2-31 抵抗つき2倍波処理回路をつけたL帯高効率GaN増幅・器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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