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三菱重工業株式会社基盤技術研究所 | 論文
- Y_2SIO_5/SIC 被覆の希薄酸素中での酸化挙動
- C/C 複合材用耐酸化被覆材料の蒸発特性
- プラズマ溶射によるC/C複合材へのY_2SiO_5超高温耐酸化コーティング
- V_2O_5-Cr_2O_3系状態図とチタニア担持バナジア-クロミア系脱硝触媒の性質
- 活性化処理を行った担持Ir触媒上での炭化水素によるNO_x選択還元反応機構
- SiGe表面の水素吸着・脱離過程
- シリコン気相成長中の表面電子状態
- ガスソ-ス分子線エピタキシ-によるダイヤモンド成長
- 電子線照射により薄膜を室温形成 -半導体, 絶縁体, 金属-
- ダイヤモンドの気相成長機構
- 28a-F-7 斜入射電子線刺激脱離法によるダイヤモンド表面のその場観察
- 電子線励起法によるSiの低温表面清浄化と低温エピタキシャル成長 (特集 技術論文)
- 光励起CBE装置の開発とSi原子層エピタキシャル成長 (基礎技術)
- 疑似リモートプラズマ技術における低温・低水素プロセスのデバイス適用
- 高Crフェライト鋼の回復速度に及ぼす固溶Mo枯渇の影響
- 火力プラント用耐熱鋼寿命評価のための組織変化解析技術 (先端技術特集)
- C/C複合材料用耐酸化被覆材料の熱膨張特性
- C/C材用耐酸化Y_2SiO_5 被覆におけるY_2SiO_5層の形成
- C/C材用耐酸化Y_2SiO_5被覆の特性
- コンヴァージョン法によるSiC層の形成機構と微細構造