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ユーリッヒ研 | 論文
- 31pYH-4 δドーピングによる強磁性転移温度上昇のメカニズム
- PIN-diodeによるJETダイバータタイルのトリチウム分析
- 31pYH-5 4d 遷移金属ドープによる II-VI 族および III-V 族強磁性半導体の探索
- 01aC05 プラズマにさらされた炭素材表面のRaman分析(真空・第一壁・材料)
- 30aC22P テキサトールトカマクのDEDコイルによるアルベン波の励起(加熱・加速)
- 26aDD-1 IV-VI族化合物半導体ベース磁性半導体の電子状態と磁性(半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 8aSB-1 第一原理計算による強磁性半導体(Ga,Cr)Nのキャリア濃度依存性(磁性半導体,領域4)
- 25aWD-4 3次元結晶形緩和におけるステップダイナミクス(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))