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フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra) | 論文
- C-3-68 MOS型Si光変調器の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-3-5 光デバイスファウンドリーの現状と展望(CI-3.半導体製造技術の現状と今後の展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 光インターコネクションに向けたシリコンフォトニクスデバイス集積 (特集 進化するシリコンフォトニクス)
- 招待講演 光電子融合システムに向けた高速・高密度シリコンフォトニクスデバイスの動向 (マイクロ波・ミリ波フォトニクス)
- CI-1-3 光配線応用に向けた光電子融合システム(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-47 Projection MOS構造を有するSi光変調器の解析(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 複数構造領域を使用したSi光導波路干渉器による偏波・温度変動・幅誤差耐性の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-36 シリコンフォトニクス集積に向けたCMOS技術(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-43 ONU用偏波無依存シリコン細線光導波路回路(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 複数構造領域を使用したSi光導波路干渉器による偏波・温度変動・幅誤差耐性の検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CI-3-3 高密度光配線用シリコン光集積回路(CI-3.通信システム・光配線システム応用にむけた高密度集積フォトニックプラットフォーム,依頼シンポジウム)
- チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- BCI-1-2 シリコンフォトニクスによる光電子融合集積の実現と展望(BCI-1.電子・光技術の融合集積による通信デバイスの将来,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-2 シリコンフォトニクスによる光電子融合集積の実現と展望(BCI-1.電子・光技術の融合集積による通信デバイスの将来,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 光電子融合システムに向けた高速・高密度シリコンフォトニクスデバイスの動向(MWP研究への期待と将来展望,一般)
- 電子回路システムの省電力化・高速化・小型化に向けたシリコン光配線集積回路 (特集 極限的な低消費電力を目指したハードウェア技術)
- MSM型ゲルマニウム受光器の差動対光受信回路への応用 (光エレクトロニクス)
- トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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